Подробности о HBM3 следующего поколения были случайно раскрыты SK hynix

Производитель микросхем памяти SK hynix недавно обновил одну из своих страниц спецификаций для HBM2E и, возможно, непреднамеренно выдал начальные спецификации стандарта HBM3 следующего поколения. Несмотря на свое название, HBM3 — это четвертое поколение памяти с высокой пропускной способностью (HBM), и, по словам SK hynix, новый стандарт обеспечит пропускную способность 665 ГБ/с или более при скорости ввода/вывода 5,2 Гбит/с.

Это означает, что пропускная способность и скорость ввода/вывода увеличились почти на 50% по сравнению с HBM2E текущего поколения. Однако мы все еще не знаем некоторых других ключевых характеристик HBM3. Например, на данный момент недоступны подробности о высоте 3D-стека и плотности элементов нового поколения, что означает, что мы не можем определить максимальный объем памяти, который сможет вместить каждый стек HBM3.

Ниже приведен график, сравнивающий улучшение HBM от поколения к поколению:

Производитель микросхем памяти SK hynix недавно обновил одну из своих страниц спецификаций для HBM2E и, возможно, непреднамеренно выдал начальные спецификации стандарта HBM3 следующего поколения. Несмотря на свое название, HBM3 - это четвертое поколение памяти с высокой пропускной способностью (HBM), и, по словам SK hynix, новый стандарт обеспечит пропускную способность 665 ГБ/с или более при скорости ввода/вывода 5,2 Гбит/с.

С точки зрения доступности, HBM3, скорее всего, еще далеко до финиша, поскольку HBM2E уже обеспечивает достаточную пропускную способность для большинства современных графических процессоров.

В соответствующих новостях HBM, Samsung придумал инновационную технологию под названием HBM-PIM, которая использует ИИ для повышения эффективности потока данных. Как только HBM3 выйдет, будет интересно посмотреть, как будет работать комбинация этих двух технологий.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован